葛庭燧带领他的团队， 对晶粒间界内耗问题作新的进一步的深入研究， 对单晶和粗晶粒样品中类似于晶界峰的一系列小内耗峰进行了深入细致的实验研究，并配合电镜的直接观察，取得三项主要成果：（1）用高纯铝单晶在约为摄氏365度处得到的内耗峰，证明它是由于晶体中位错网络的攀移运动引起的；（2）用5个9的高纯铝大晶粒试样在摄氏265度处又得到一个新内耗峰，经过多方论证，确认这个内耗峰和晶界附近的多边形化位错有关；（3）用6个9的高纯铝大晶粒试样（晶粒大于试样直径时）在摄氏170度附近观察到一个内耗峰，该峰表现出明显的振幅效应， 这是由于晶粒内部出现的一种位错组态引起的。该项研究的实验结果明确，讨论详尽，结语严实，不仅澄清了有关晶粒间界内耗峰的疑难问题，肯定了原来的解释，而且丰富了关于晶粒简界的内耗知识， 为研究晶体缺陷提供了新的内容。