12月28日，中国科学院低功耗量子材料建制化平台、低功耗量子材料与器件安徽省重点实验室邀请了中国科学院物理研究所钱天研究员做客强磁场中心，并举办了题为“单带Mott绝缘体Nb3Cl8和激子绝缘体Ta2Pd3Te5”的报告会。报告会由许锡童研究员主持，中心部分职工和学生参加了报告会。

　　随着拓扑能带理论的快速发展，第一性原理计算已预测了大量的拓扑材料，进一步考虑关联效应所能带来的新奇物理现象引起了广泛的关注。钱天在报告中结合理论计算、ARPES及其它多种实验手段，在拓扑材料中揭示了两个典型的关联电子体系。在呼吸型kagome结构的Nb3Cl8中，费米能级处半填满的平带上电子-电子相互作用导致了Mott绝缘体态，该能带孤立于其它能带并且具有单轨道成分，可以被单带Hubbard模型理想描述。在Ta2Pd3Te5中导带和价带间的电子-空六相互作用导致了激子绝缘体基态，其中电子对称性破缺仅诱导轻微的晶格畸变，明显不同于此前的激子绝缘体候选材料中电子和晶格自由度的强耦合。最后，他介绍了近期搭建完成的时间分辨ARPES设备，并和与会人员进行了深入的讨论交流。

　　钱天，中国科学院物理研究所研究员。主要研究方向为利用角分辨光电子能谱实验技术研究拓扑材料和关联体系的电子结构。研究成果入选“Physical Review”系列期刊125周年纪念论文集、物理学年度十大突破和八大亮点工作、四次入选中国科学十大进展和中国十大科技进展新闻。