6月13日，强磁场青年论坛第46讲在交叉科研楼207会议室举行。强磁场科学中心材料科学部研究员刘艺舟为大家带来题为《从磁斯格明子到磁霍普夫子，跨越维度的拓扑磁结构》的学术报告。中心主任孙玉平、副主任张欣和青年职工及学生参加了活动，活动由材料科学部副主任陈峰主持。

报告首先明确了磁存储技术的基本原理，即通过磁矩的排列方向对信息进行编码。在传统应用中，我们通常使用磁矩的单轴方向（例如“上”或“下”）来进行信息编码，但实际上，材料中的磁矩可以指向任意方向，从而构成多种多样的“磁结构”。在众多磁结构中，有一些呈现出无规律的特征，而另一些特殊的磁结构则可以通过拓扑荷来进行精确分类，这些被称为拓扑磁结构。报告着重介绍了两种典型的拓扑磁结构：磁斯格明子和磁霍普夫子，从经典的二维拓扑磁结构—磁斯格明子出发，深入探讨了其跨越空间维度形成的新型三维拓扑磁结构—磁霍普夫子。在详细解析磁霍普夫子的基本特性之后，报告还进一步探讨了其动力学模式和非线性动力学特性。报告结束后，刘艺舟和与会人员围绕磁斯格明子、磁霍普夫子和拓扑磁结构等话题展开了热烈的讨论和交流。

刘艺舟，强磁场科学中心研究员。2017年于美国加州大学河滨分校获博士学位。2018年至2023年分别在中国科学院物理研究所及日本理化学研究所（RIKEN）做博士后研究。主要研究方向为凝聚态磁学理论，如磁性系统中的拓扑磁结构、自旋动力学及输运现象等。

刘艺舟作报告

报告会现场