10月17日，法国国家科学研究中心CIMAP实验室Pierre RUTERANA教授，应中国科学院国际交流计划项目（2024-PIFI）的邀请，再度造访合肥物质院固体所，并作了题为《氮化物半导体在发光及大功率高频电子器件领域的发展》的精彩报告。

报告中，RUTERANA教授首先回顾了InGaN/GaN和InAlN/GaN这两种材料体系的发展历程和重要里程碑事件，表示这些材料在半导体领域具有举足轻重的地位，对于推动科技进步和产业发展具有重要意义。随后，探讨了当前在氮化物半导体材料生长和器件研制中面临的关键问题。他利用高分辨电子显微镜表征技术，详细揭示了材料缺陷的特征，以及这些缺陷与外延生长技术之间的紧密关系，这不仅有助于深入地理解氮化物半导体的微观结构，也为优化材料生长工艺和提高器件性能提供了重要指导。在报告的展望部分，RUTERANA教授指出，氮化物半导体在无磷污染的白光照明、新能源转换以及微波通讯等市场领域具有巨大的应用潜力；随着技术的不断进步和成本的逐步降低，这些材料将实现大规模应用，从而推动相关产业的快速发展。RUTERANA教授的来访，不仅为固体所科研人员提供了学术交流机会，也有利于促进双方在氮化物半导体领域的深入研究与合作。

Pierre RUTERANA教授是高分辨透射电子显微镜专家，在氮化物半导体和氧化锌材料中结构缺陷的电镜表征方面取得了丰硕的研究成果。RUTERANA教授主持过多个欧盟研发计划、法国国家科研项目和地区科技项目。他是E-MRS国际会议主席团成员以及欧洲电子显微镜学会和法国电子显微镜学会的会员，还担任了国际刊物Energy and Environmental Materials的副主编。