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美国哥伦比亚大学Tom K. Hei 教授访问技术生物所
文章来源: 王军、陈妮 发布时间: 2014-10-13

  10月9日,应吴李君研究员邀请,中科院合肥物质科学研究院特聘研究员、美国哥伦比亚大学辐射研究中心Tom K. Hei 教授到技术生物所访问交流,并做了题为“辐射致癌的过程与机制”的学术报告。

    在报告中,Tom K. Hei 教授阐述了细胞受到辐射照射后发展为恶性化的肿瘤细胞的过程,并阐明了它们与辐射剂量、能量和射线品质等因素的关系。Tom K. Hei 教授的报告还全面介绍了辐射诱导肿瘤的机制,对设计辐射治疗计划、辐射诱导二次肿瘤发生、准确评价环境辐射风险等都有重要指导意义。

  Tom K. Hei教授是美国哥伦比亚大学终生教授,肿瘤放射系和辐射研究中心副主任,担任美国辐射研究协会主席,中国科学院海外评审专家。主要研究领域是环境污染物因子的致癌/致突效应的机理研究,特别是化学污染物分子及低剂量电离辐射的致癌效应。在辐射生物效应、环境致癌因子DNA损伤机理研究方面有着深厚学术造诣,在国际著名学术期刊上发表200余篇研究论文。

  Tom K. Hei教授与国内多家从事电离辐射及环境因子致癌效应研究的单位有着密切的合作,已培养了诸多电离辐射及环境因子生物效应研究领域的优秀人才,并一直积极推动国内青年研究人员前往国际著名辐射研究机构进行合作研究及学术培训。在技术生物所访问期间,他与科研人员多次座谈、交流,并给予深入细致的学术指导,为推进研究所辐射与环境毒理领域的研究提出诸多指导意见。

  

学术报告

  

座谈交流

   
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