1月28日上午，哥伦比亚大学郝玉峰博士应邀做客固体所，作了题为《化学气相沉积法制备的单层及双层单晶石墨烯及其电输运性能》的学术报告。 

　　郝玉峰博士近十年来一直专注于CVD法合成新材料，他的最新研究成果发表在《科学》（Science）杂志(342, 720 (2013))上，可谓"十年磨一剑"。报告中，他首先回顾了现有石墨烯的制备方法及应用前景，由此引出大面积、高品质的单晶石墨烯的制备是将其纳米器件化的基础。他指出，在基于铜基底生长石墨烯的过程中，适量的氧能够有效降低铜的催化活性，减小铜基底上石墨烯的成核点，进而有助于在少量成核点的基础上，外延生长出面积达平方厘米级的单层石墨烯。他提出利用碳原子在铜原子层中的扩散作用，实现双层乃至多层石墨烯的合成。 

　　报告结束后，与会师生就感兴趣的问题与郝玉峰博士了热烈的交流，探讨合作的可能性。 

　　郝玉峰，2001年7月于山西大学物理系国家理科基地班获得学士学位；2006年6月博士毕业于中国科学院固体物理研究所；从2007年至2014年，郝玉峰先后在新加坡国立大学和美国得克萨斯大学奥斯丁分校从事博士后工作；2014年1月至今在美国哥伦比亚大学担任研究科学家。过去十年来，郝玉峰尤其专注于化学气相沉积合成新材料领的研究工作，对石墨烯等二维材料以及一维半导体纳米线的生长及结构表征方面取得了一系列研究成果；另外，郝玉峰在纳米材料光、电性质测量方面也做了一系列工作。迄今为止，郝玉峰在国际学术期刊共发表论文50余篇，包括Science、Nature、Physical Review Letters、 Advanced Materials、Nano Letters、ACS Nano、Physical Review B等；申请中国及美国发明专利4项；到目前为止所发表论文累计被Science、Nature等国际学术刊物引用2100余次(H因子26)。 

郝玉峰博士作报告

会议现场