4月28日上午，西安交通大学胡忠强教授做客强磁场中心低功耗量子材料建制化科研平台，作题为《基于涡旋磁畴的隧穿磁阻（TMR）传感芯片及其应用》的报告，报告会由王康项目研究员主持。

胡忠强教授围绕理论模拟、传感单元优化、器件设计与应用四个方面，系统介绍了磁涡旋隧穿磁阻（TMR）传感器的设计、制备及工程化进展。团队通过构建“并联离散化磁隧道结”模型，解决了复杂TMR结构仿真难题；揭示了低磁滞涡旋畴成核机制及关键材料参数对性能的影响；基于复合自由层设计，成功研制出高灵敏、低磁滞、抗强磁冲击的TMR磁传感芯片。在此基础上，开发了适用于DC–1 MHz宽频检测的电流传感器及后端信号调理电路，实现了mA至kA级交直流电流的高精度测量，并在智能电网、精准计量和角度传感等领域完成应用验证。

现场听众就器件设计优化、智能感知应用等问题与胡忠强教授深入交流，胡教授就听众所提问题一一作了详细解答。

胡忠强，西安交通大学电子科学与工程学院教授，博士生导师，入选国家级青年人才计划，长期从事磁传感芯片与智能感知技术研究。

报告会现场