近年来，芯片与电子产品中高性能、高可靠性、高密度集成的强烈需求催生了3D封装技术并使其成为集成电路发展的主要推动力量之一。传统的平面化2D封装已经无法满足高密度、轻量化、小型化的强烈需求。玻璃金属穿孔(TGV)是一种应用于圆片级真空封装领域的新兴纵向互连技术，为实现芯片-芯片之间距离最短、间距最小的互联提供了一种新型技术途径，具有优良的电学、热学、力学性能，在射频芯片、高端MEMS传感器、高密度系统集成等领域具有独特优势，是下一代5G、6G高频芯片3D封装的首选之一。

　　为此，团队针对TGV现有工艺问题，结合中科院合肥研究院和中国科学技术大学微纳研究与制造中心的前期研究基础及平台优势，提出一种新型TGV晶圆制造方案，开发出了高均一性、高致密、高深宽比的TGV晶圆，具有超低漏率、超低信号损耗的优势，满足环形谐振器、波导缝隙天线、毫米波天线等5G/6G高频芯片，以及新型MEMS陀螺仪、加速度计3D封装需求。经检测，团队研制出的TGV晶圆各项主要参数均与国际顶级玻璃厂商肖特、康宁和泰库尼思科等相当，部分参数优于国际水平。

　　该项技术具有高度灵活性，可满足客户诸多定制化需求，经济效益、行业意义重大，在半导体芯片3D先进封装、射频芯片封装、MEMS传感器封装，以及新型MEMS传感器（MEMS质谱、MEMS迁移谱）设计制造、新型玻璃基微流控芯片制作等多个领域具有广阔的应用前景。

　　相关技术得到了国家自然科学基金、科技部、中科院、安徽省等来源项目的支持。相关技术得到了国家自然科学基金、科技部、中科院、安徽省等来源项目的支持。基于该技术成果申请发明专利5项，依托该技术的相关研究以“Monolithic integration of tandem-FAIMS based on overlapping ion peak separation and weak ion peak discovery for gas detection”为题发表在传感器领域top期刊上Sensors and Actuators: B. Chemical上。

图1：基于导电金属的TGV晶圆（可定制4、6、8英寸）

图2：基于导电硅的TGV晶圆（可定制4、6英寸）